Caractéristiques techniques
| Caractéristique | Détail |
|---|---|
| Marque | Samsung |
| Modèle | 990 EVO Plus |
| Capacité | 1 To |
| Type | SSD NVMe |
| Interface | PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2 |
| Format | M.2 2280 |
| Type de mémoire | Samsung V-NAND (TLC) |
| Vitesse de lecture | Jusqu’à 7250 Mo/s |
| Vitesse d’écriture | Jusqu’à 6300 Mo/s |
| Lecture aléatoire | Jusqu’à 850 000 IOPS |
| Écriture aléatoire | Jusqu’à 1 350 000 IOPS |
| Endurance | Jusqu’à 600 TBW |
| Cache | HMB (sans DRAM) |
| Technologies | Intelligent TurboWrite 2.0 / TRIM / S.M.A.R.T |
| Consommation | Optimisée (~4.3W lecture) |
| Refroidissement | Contrôleur avec gestion thermique |
| Compatibilité | PC / Laptop / PS5 (avec dissipateur) |
| Dimensions | 22 x 80 mm |
